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从我做EMC的整改经验来看我不能认同这些朋友的意见。对于EMI实际测试，深圳芯片EMI分析整改实验，整改，有经验都可以拿来大家分享，先不管理论对不对，实际结果是怎样就怎样，继续分享我的经验如下：+12V田字体输出线材上绕CoRe（常用规格为KN-RN250080），对辐射60MHz-70MHz，有改善.在次级整流管上串磁珠（常用规格为MD-353015，MD-353012），对辐射45MHz75MHz，120MHz-200MHz均有改善.一次侧地对二次侧地跨CY电容（容量范围470PF-4700PF），此电容好是放在跨主变压器两地之间，对辐射30MHz-60MHz，深圳芯片EMI分析整改实验，有改善，深圳芯片EMI分析整改实验。不同的电源有不同的要求，实际应用中还有很多限制的。深圳芯片EMI分析整改实验
有效降低电路EMI的技巧：当存在一个磁场时，一个由导电材料形成的环路充当了天线，并且把磁场转换为围绕环路流动的电流。电流的强度与闭合环路的面积成正比。有效降低电路EMI的技巧：出现在板级连接的场合。如智慧机上盒(STB)产品，在STB主机板和EOC主机板或者Wi-Fi模组连接时，会在GND链路形成一个板级环路，可以在GND中间串接一个电感或者铁氧体磁珠进行隔离。透过双绞线电缆传输讯号时，每对差分发射/接收都形成一个环路，因双绞线紧密耦合，对于链路的电缆部分而言环路面积很小。需要保持紧密耦合，减少环路面积。深圳芯片EMI分析整改实验插在线路与机架之间，不同的噪声象瞬态响应，为输出滤波电容及滤波电感的函数。
对于电源产品主要有的敏感元器件就是变压器、MOS管、二极管。所以只要解决好这三个方面的协调问题EMC就不难搞定。而解决EMC的方法概括来说就是：消除干扰源、切除干优传导的途径、疏导干扰源。原板上所用变压器，只在外面增加一个屏蔽层。测试可以通过不过余量很小只有1dB。显然来能保障批量生产可能造成的不确定性。根据以上的情况做了第二次修改，将变压器更新成前面提到过的改变了绕线方式的变压器。用频谱分析仪重新查看了一产品的变压器的位置和MOS管的位置。发现MOS管的位置曲线不是有点高，并且成有规律的波形。用频谱分别对MOS管的G、D、S三个脚接触看一下是哪个脚是辐射源，发现D极的辐射源大。于是我在D极上串了一个通用的插件磁珠。
经过两次的修改该产品顺利的符合了客户要求的标准测试。终的整改方案为：1．将MOS管，双向二极管的散热片面接入电源的热地。2．将X电容改为0.22uF。3．将共模电感改为50mH.4．在MOS管的D线电路的正面串入一个插件的磁珠。去消在D、S间并接的101电容。5．将变压器的绕线方式改变了一下，取消内部的屏蔽，而在外部加了一个屏蔽层。并接入热地。其实EMC的整改主要是电源的整改因为任何产品都要有电源来供电，此处没有处理好一定会影响到其它的地方。不论是什么产品它的辐射或传导主要有这个产品内部的敏感元器件造成的。对于电源产品主要有的敏感元器件就是变压器、MOS管、二极管。所以只要解决好这三个方面的协调问题EMC就不难搞定。而解决EMC的方法概括来说就是：消除干扰源、切除干优传导的途径、疏导干扰源。晶片电源接脚增加旁路电容(0.1μF)处理，电容要靠近接脚摆放。
若是用军标测试，相应的会严格一些，所以EUT测试超标很正常。对电源适配器的EMI和EMC主要影响的几个因素在于电源适配器的开关电路,电路板设计和接地电路以及开关电路等各个功能电路等方面.消除就是用将干扰源通过热能的方式损耗掉，这种是制本的方式。切除干扰传导的途径就是将干扰向外传递的路径切断，使其无法向外干扰，也就是我们常做的滤波，屏蔽等方法。c.疏导干扰源这种就是将干扰源引到不是敏感的元器件上如旁路，去藉，接地等方式。讯号线下方的地要完整，要有完整的参考面。深圳仪器仪表EMI分析整改屏蔽
EMI 整改：对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来压制。深圳芯片EMI分析整改实验
20-30MHZ，（整改建议）1、对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；2、调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；3、在变压器外面包铜箔；变压器里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。200MHZ以上，开关电源已基本辐射量很小，一般均可过EMI标准。修改Inlet上L.N对GND并的CY电容（容量范围470PF-4700PF），对辐射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高压地对Case地跨CY电容（容量范围470PF-4700PF），对辐射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高压电容正负极并瓷片电或SMD电容（容量范围1000PF-4700PF/1KV），对辐射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。深圳芯片EMI分析整改实验
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